GTO snubber capacitor f'tagħmir elettroniku tal-qawwa

GTO snubber capacitor f'tagħmir elettroniku ta 'l-enerġija Dehru Image

Deskrizzjoni qasira:

Iċ-ċirkwiti snubber huma essenzjali għad-dijodi użati fiċ-ċirkwiti tal-iswiċċjar.Jista 'jiffranka dajowd minn spikes ta' vultaġġ żejjed, li jistgħu jinqalgħu matul il-proċess ta 'rkupru b'lura.

Ibgħat email lilna Niżżel bħala PDF

Dettall tal-Prodott

Tags tal-Prodott

Data teknika

Firxa tat-temperatura operattiva	Max.Temperatura operattiva., Top, max: + 85℃ Temperatura tal-kategorija ta 'fuq: +85℃ Temperatura tal-kategorija t'isfel: -40℃
firxa ta 'kapaċità	0.22~3μF
Vultaġġ nominali	3000V.DC ~ 10000V.DC
Kap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Jiflaħ vultaġġ	1.35Un DC/10S
Fattur tad-dissipazzjoni	tgδ≤0.001 f=1KHz
Reżistenza għall-insulazzjoni	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (f'20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (f'20℃ 100V.DC 60S)
Jiflaħ l-istrajk kurrenti	ara datasheet
L-istennija tal-ħajja	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
Standard ta' referenza	IEC 61071;

Karatteristika

1. Tejp Mylar, Issiġillat bir-reżina;

2. Ċomb tal-ġewż tar-ram;

3. Reżistenza għal vultaġġ għoli, tgδ baxx, żieda fit-temperatura baxxa;

4. baxx ESL u ESR;

5. Kurrent tal-polz għoli.

Applikazzjoni

1. GTO Snubber.

2. Użati ħafna fit-tagħmir elettroniku tal-qawwa meta l-ogħla vultaġġ, il-protezzjoni tal-ogħla assorbiment tal-kurrent.

Ċirkwit tipiku

Tpinġija tal-qosor

Speċifikazzjoni

Un=3000V.DC
Kapaċità (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Kapaċità (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Kapaċità (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Kapaċità (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Kapaċità (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70